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Bilder für Hersteller ON Semiconducter

FQA11N90C N-CH MOSFET Leistungstransistor TO3PN 900V 11A  300W

ON Semiconducter FQA11N90C-F109 - FQA11N90C - Halbleiter Typ: Transistor - Technologie: N-Channel QFET® MOSFET - Polarität: N-Channel - Anwendung: Leistungstransistor - Montage: THT - Bauform Transistor: TO-3PN - Spannung Drain-Source: VDS = 900 Volt - Max. Drain Strom TC=25°C: ID = 11 A - Max. Verlustleistung TC=25°: PD = 300 W - Min. Durchgangswiderstand: RDS(on) = 1,1 R - Durchbruchstrom: IAR = 11 A
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Art.-Nr. 00017631
MPN FQA11N90C-F109
Gewicht 0,01 kg
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Bezeichnung FQA11N90C
Halbleiter Typ Transistor
Technologie N-Channel QFET® MOSFET
Polarität N-Channel
Anwendung
  • Leistungstransistor
  • Schalttransistor
Montage THT
Bauform Transistor TO-3PN
Anschluss PIN-1 1 = Gate
Anschluss PIN-2 2 = Drain + Gehäuse
Anschluss PIN-3 3 = Source
Spannung Drain-Source VDS = 900 Volt
Spannung Drain-Gate VDGR = 900 Volt
Spannung Gate-Source ± VGS = 30 Volt
Max. Drain Strom TC=25°C ID = 11 A
Max. Verlustleistung TC=25° PD = 300 W
Min. Durchgangswiderstand RDS(on) = 1,1 R
Durchbruchstrom IAR = 11 A

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