Bezeichnung | FQA11N90C |
Halbleiter Typ | Transistor |
Technologie | N-Channel QFET® MOSFET |
Polarität | N-Channel |
Anwendung |
|
Montage | THT |
Bauform Transistor | TO-3PN |
Anschluss PIN-1 | 1 = Gate |
Anschluss PIN-2 | 2 = Drain + Gehäuse |
Anschluss PIN-3 | 3 = Source |
Spannung Drain-Source | VDS = 900 Volt |
Spannung Drain-Gate | VDGR = 900 Volt |
Spannung Gate-Source | ± VGS = 30 Volt |
Max. Drain Strom TC=25°C | ID = 11 A |
Max. Verlustleistung TC=25° | PD = 300 W |
Min. Durchgangswiderstand | RDS(on) = 1,1 R |
Durchbruchstrom | IAR = 11 A |
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